JC/T 2133—2012半導體拋光液用硅溶膠中雜質元素量的測定

電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜法

標準范圍：

本標準規(guī)定了采用電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜(ICP-AES)法測定半導體拋光液用硅溶膠中雜質元素含量的方法。

本標準適用于半導體化學機械拋光(CMP)中拋光液用的各種硅溶膠。雜質元素包括：鋁、鋇、鈣、 絡、銅、鐵、鉀、鎂、錳、鈉、鎳、鈦、鋅、鋯等14種元素。

規(guī)范性引用文件：

下列文件對于本文件的應用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，僅注日期的版本適用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其版本(包括所有的修改單)適用于本文件。

GB/T 602化學試劑雜質測定用標準溶液的制備

GB/T 6682分析實驗室用水規(guī)格和試驗方法

標準提要：

試樣通過相應的稀釋處理或直接進樣，在電感耦合等離子體炬焰中激發(fā)，發(fā)射出所含元素的分析線, 根據待測元素分析線的強度測定相應元素的含量。

分析步驟：

1.試樣處理。

2.校準曲線。

3.測定。

不確定度評定：

不確定度評定依照CNAS-GL06《化學分析中不確定度的評估指南》中提供的方法進行(具體評定方法參見附錄B)。被測元素含量范圍在0.01 μg/mL?1μg/mL之間，測量不確定度應小于該元素測量值的10%;被測元素含量范圍在1μg/mL?20μg/mL之間，測量不確定度應小于該元素測量值的5%。