硅片回收工藝流程具體介紹如下:
切片:將單晶硅棒切成具有幾何尺寸的薄硅片。此過程中產(chǎn)生的硅粉采用水淋,產(chǎn)生廢水和硅渣。
退火:雙工位熱氧化爐經(jīng)氮?dú)獯祾吆?,用紅外加熱至300~500,硅片表面和氧氣發(fā)生反應(yīng),使硅片表面形成二氧化硅保護(hù)層。 倒角:將退火的硅片進(jìn)行修整成圓弧形,防止硅片邊緣破裂及晶格缺陷產(chǎn)生,增加磊晶層及光阻層的平坦度。此過程中產(chǎn)生的硅粉采用水淋,產(chǎn)生廢水和硅渣。
硅片回收工藝流程具體介紹如下:
切片:將單晶硅棒切成具有幾何尺寸的薄硅片。此過程中產(chǎn)生的硅粉采用水淋,產(chǎn)生廢水和硅渣。
退火:雙工位熱氧化爐經(jīng)氮?dú)獯祾吆?,用紅外加熱至300~500,硅片表面和氧氣發(fā)生反應(yīng),使硅片表面形成二氧化硅保護(hù)層。 倒角:將退火的硅片進(jìn)行修整成圓弧形,防止硅片邊緣破裂及晶格缺陷產(chǎn)生,增加磊晶層及光阻層的平坦度。此過程中產(chǎn)生的硅粉采用水淋,產(chǎn)生廢水和硅渣。
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