作為納米銦錫金屬氧化物，具有很好的導(dǎo)電性和透明性，可以切斷對人體有害的電子輻射、紫外線及遠(yuǎn)紅外線。因此，銦錫氧化物通常噴涂在玻璃、塑料及電子顯示屏上，用作透明導(dǎo)電薄膜，同時(shí)減少對人體有害的電子輻射及紫外、紅外。 ITO 是一種N型氧化物半導(dǎo)體-氧化銦錫,ITO薄膜即銦錫氧化物半導(dǎo)體透明導(dǎo)電膜，通常有兩個(gè)性能指標(biāo)：電阻率和透光率。 在氧化物導(dǎo)電膜中，以摻Sn的In2O3(ITO)膜的透過率和導(dǎo)電性能，而且容易在酸液中蝕刻出細(xì)微的圖形，其中透光率達(dá)90%以上。ITO中其透光率和阻值分別由In2O3與SnO2之比例來控制，通常SnO2:In2O3=1:9。 目前ITO膜層之電阻率一般在5*10-4左右，可達(dá)5*10-5，已接近金屬的電阻率，在實(shí)際應(yīng)用時(shí)，常以方塊電阻來表征ITO的導(dǎo)電性能，其透過率則可達(dá)90%以上，ITO膜之透過率和阻值分別由In2O3與Sn2O3之比例控制，增加氧化錮比例則可提高ITO之透過率，通常Sn2O3： In2O3=1：9，因?yàn)檠趸a之厚度超過200Å時(shí)，通常透明度已不夠好---雖然導(dǎo)電性能很好。 如用是電流平行流經(jīng)ITO脫層的情形，其中d為膜厚，I為電流，L1為在電流方向上膜厚層長度，L2為在垂直于電流方向上的膜層長主，當(dāng)電流流過方形導(dǎo)電膜時(shí)，該層電阻R=PL1/dL2式中P為導(dǎo)電膜 之電阻率，對于給定膜層，P和d可視為定值，P/d，當(dāng)L1=L2時(shí)，怒火正方形膜層，無論方塊大小如何，其電阻均為定值P/d，此即方塊電阻定義： R=P/d，式中R單位為：歐姆/（Ω/），由此可所出方塊電阻與IOT膜層電阻率P和ITO膜厚d有關(guān)且ITO膜阻值越低，膜厚越大。 目前在STN液晶顯示屏中所用ITO玻璃，其R可達(dá)10Ω/左右，膜厚為100-200um，而一般低檔TN產(chǎn)品的ITO玻璃R為100-300Ω/，膜厚為20-30um。

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